Лаборатория микроструктурных исследований
Металлографический микроскоп с цифровой камерой Микро-200
Назначение и возможности
Металлографический микроскоп с цифровой камерой. Микроскоп совмещен с ЭВМ и оснащен программой для обработки изображений.
Храктеристики
Степень увеличения: х50, х100, х200, х400, х1000, позволяет изучать объекты в светлом и темном полях. Программное обеспечение позволяет выделять объекты и осуществлять статистический множественный анализ размеров структурных элементов. Оригинальная авторская методика позволяет определять структурное состояние сплавов, балл зерна и другие структурные характеристики сплавов по результатам цифрового анализа микроструктур.
Микротвердомер HMV-2
Описание
Микротвердомер HMV-2 предназначен для измерения микротвердости материалов по методу Виккерса.
Характеристики
- стандартизированные и универсальные измерения твердости покрытий, тонких пленок и хрупких образцов;;
- диапазон нагрузок 0,1 – 19,6 Н;
- автоматическое переключение нагрузки;
- разрешение: 0,01 мкм.
Сканирующий электронный микроскоп с системой энергодисперсионного анализа S3400N
Назначение и возможности
Получение изображений поверхности образцов с высокими разрешением и степенью увеличения путем сканирования электронным пучком.
Система энерго-дисперсионного микроанализа.
Детектор – кремний-дрейфовый с рабочей областью 10 мм2
Диапазон регистрируемых химических элементов – B – U
Энергетическое разрешение на линии (Mn-Kα) - не хуже 132 эВ
Автоматическая идентификация пиков в спектре и элементов в образце
Построение карты распределения элементов по анализируемой площади поверхности образца.
Сканирование
| Разрешение (вторичные электроны) | не хуже 3,0 нм при 30 кВ (высокий вакуум), не хуже 10 нм при 3 кВ (высокий вакуум) |
| Разрешение (обратнорассеяные электроны) | не хуже 4.0 нм при 30 кВ (низкий вакуум) |
| Увеличение (в пересчете на размер отпечатка 9 х 12 см) | не хуже х5 – х300,000 |
| Ускоряющее напряжение | 0.3 – 30 кВ |
| Максимальный возможный диаметр исследуемого образца | не менее 200 мм |
| Максимально допустимая высота исследуемого образца | не менее 80 мм |
| Тип столика образцов | эвцентрический (с наклоном плоскости перемещения по X и Y) |
| Наклон образца на столике | от - 20° - +90° |
| Возможность вращения образца на столике | 360° |
| Моторизация столика | по 5 осям |
| Наблюдаемая область | не менее 130 мм в диаметре |
| Электронная пушка | предварительно центрированный W катод |
| Размер сохраняемого изображения | до 5120 х 3840 пикселей |
Определение спектрального состава
| Получение электронно-микроскопических изображений | разрешение не менее 4096х4096 точек |
| Рабочая область кристалла | 10 мм2 |
| Энергетическое разрешение | не хуже 132 эВ на линии (Mn-Kα) |
| Диапазон детектирования | Be – Pu |